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| Samsung 990 EVO Plus especificaciones del SSD | |
| Factor de forma | M.2 (2280) |
| Interfaz | PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 |
| Opciones de capacidad | 1 TB,2 TB, 4TB |
| Velocidad de lectura secuencial | Hasta 7.250 MB/s |
| Velocidad de escritura secuencial | Hasta 6.300 MB/s |
| Velocidad de lectura aleatoria (4KB, QD32) | 1 TB: hasta 850.000 IOPS 2 TB: hasta 1,000, 000 IOPS 4TB: hasta 1,050, 000 IOPS |
| Velocidad de escritura aleatoria (4KB, QD32) | 1 TB: hasta 1,350, 000 IOPS 2 TB: hasta 1,350, 000 IOPS 4TB: hasta 1,400, 000 IOPS |
| Consumo de energía (activo) | 1 TB: 4.3W (lectura), 4.2W (escritura) 2 TB: 4,6 W (lectura), 4,2 W (escritura) 4TB: 5.5W (leído), 4.8W (escrito) |
| Consumo de energía (en vacío) | 60 mW típicos |
| Consumo de energía (sueño) | 5 mW típicos |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C a 70 °C |
| Resistencia al choque | 1,500 G y 0,5 ms (medio seno) |
| Memoria de almacenamiento | Samsung V-NAND TLC (en inglés) |
| El controlador | Controlador interno de Samsung (5nm) |
| Memoria de caché | Buffer de memoria de host (HMB) |
| Encriptación | Encriptación AES de 256 bits (clase 0), TCG/Opal, IEEE 1667 |
| Confiabilidad (MTBF) | 1.5 millones de horas |
| Garantización | 5 años de garantía limitada 1 TB: 600 TBW 2 TB: 1.200 TBW 4 TB: 2.400 TBW |
Samsung 990 EVO másDesempeño
Vamos a comparar el Samsung 990 EVO Plus con algunos otros SSD de consumo recientes en nuestros puntos de referencia de rendimiento.
- El Samsung 990 EVO
- El Samsung 990 Pro
- El T500 es crucial
- WD azul SN580
Para las pruebas, utilizamos dos plataformas. La plataforma de prueba para consumidores admite SSDs PCIe Gen4/Gen5 y ejecuta Windows 11.Marcado de disco cristalino, y nuestra plataforma principal, un Dell PowerEdge R760, que se superpone a nuestras pruebas empresariales.3¿ Qué pasa?2Esto nos permite probar todos los tipos de unidades actuales y emergentes en el mismo hardware de prueba.Nuestra plataforma empresarial utilizada para las pruebas de vdbench generalmente verá un rendimiento más lento que la unidad dentro de nuestra plataforma de consumo que ejecuta Windows 11.
Configuración del Dell PowerEdge R760
- Dual Intel Xeon Gold 6430 (32 núcleos / 64 hilos, base de 1,9 GHz)
- 1 TB de RAM DDR5
- Ubuntu 22 también.04
Análisis de la carga de trabajo de VDBench
Las pruebas de análisis de carga de trabajo VDBench son un conjunto de cargas de trabajo sintéticas que ayudan a proporcionar condiciones de referencia y repetibles en múltiples unidades.Estas pruebas llenan la superficie de la unidad con datos y luego la partición de una sección de la unidad igual al uno por ciento de la capacidad de la unidad para simular cómo la unidad puede responder a las cargas de trabajo de la aplicaciónEsto difiere de las pruebas de entropía completa, que utilizan el 100% de la unidad y la llevan a un estado estacionario.
Vamos a ver siete pruebas diferentes, incluyendo:
- Lectura aleatoria 4K: 100% Lectura, 128 hilos, 0-120% de iorate
- 4K Random Write: 100% Write, 64 hilos, 0-120% de iorate
- Lectura secuencial 64K: 100% Lectura, 16 hilos, 0-120% de iorato
- 64K Secuencial Escribir: 100% Escribir, 8 hilos, 0-120% iorate
- Inicio del VDI
- Inicial de inicio de sesión VDI
- VDI lunes Iniciar sesión
Comenzando con la prueba Random Read 4K, el Samsung 990 EVO Plus alcanzó un máximo de 266K IOPS con 480ms de latencia, superando a las unidades EVO y WD Blue SN580.todavía estaba muy por detrás de los Samsung 990 Pro y Crucial T500 de gama alta.
En la prueba Random Write 4K, vimos un comportamiento errático en la mayoría de las unidades excepto el 990 Pro.Todavía no era estelar.
El EVO Plus luchó por la prueba de lectura secuencial 64K, quedando atrás del resto de las unidades.277.3ms, mientras que incluso el 990 EVO no más dobló esa velocidad con 3.22GB/s.
En la prueba Sequential Write 64K, el Samsung 990 EVO Plus tuvo un mejor rendimiento.664.2ms, una mejora notable con respecto a su predecesor.
En la prueba VDI Boot, el Samsung 990 EVO Plus superó los 42K IOPS con una latencia de 829ms, superando al 990 EVO regular, que alcanzó un máximo de alrededor de 35K IOPS a 922ms y terminó con más de 1,000 ms de latenciaComo era de esperar, el Crucial T500 y el 990 Pro estaban muy por delante en esta categoría.
En cuanto al inicio de sesión del VDI, las cosas se volvieron un poco más impredecibles.Este rendimiento errático también se produjo con el 990 EVO, que alcanzó su punto máximo en 16K IOPS con 1,892ms de latencia y experimentó un pico tardío antes de que finalizara la prueba.
Para el VDI Monday Login, el Samsung 990 EVO Plus se desempeñó bastante bien para su rango de precio, alcanzando 16K IOPS con 978.5ms de latencia.que sólo alcanzó 11K IOPS en 1, 450 ms de latencia.
El banco de arranque
BOOT-BENCH-1 es un perfil de carga de trabajo OCP diseñado para probar SSD para el servicio de arranque del servidor.capacidadEsto es particularmente relevante para los hiperescaladores y los proveedores de sistemas que enfrentan desafíos similares.
Antes de ejecutar una carga de trabajo de lectura pesada, la prueba de arranque llena toda la unidad con escrituras.y una grabación / recorte aleatorio sincronizado de 128K de 5MiB / s en el fondoComienza en cuatro trabajos, y aumenta a 256 durante las operaciones de lectura pico.
Desafortunadamente, al igual que la versión estándar del 990 EVO, el Samsung 990 EVO Plus falló en el banco de botas.
| Dispositivos de seguridad | Leer el IOPS |
| Sk hynix Platino P41 | 220, 884 OPS |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. | 219, 883 IOPS |
| Solidigm P44 Pro es un dispositivo de control de velocidad. | 211,999 IOPS |
| Fantom VENOM8 | 190,573 PBIO |
| El Samsung 990 Pro | 176,677 OPAI |
| El cohete Sabrent 4 Plus | 162, 230 IOPS |
| ADATA Legenda 970 (Gen5) | 65,632 IOPS |
| Corsair MP700 Pro (generación 5) | 51,521 OPAI |
| Almacenamiento de depredadores GM7 | 35,302 IOPS |
| Samsung 990 EVO más | DNF (en inglés) |
| El Samsung 990 EVO | DNF (en inglés) |
Prueba de velocidad de CrystalDiskMark
CrystalDiskMark es un popular punto de referencia de la unidad. Probamos el Samsung 990 EVO Plus dentro de nuestra plataforma de prueba de consumo que ejecuta Windows 11, utilizando cinco pases con un archivo de muestra de 32 GB. Aquí,Fue capaz de golpear 7.14GB/s para leer y 5.76GB/s para escribir.
Este es un aumento notable en la velocidad en comparación con el modelo estándar Samsung 990 EVO, que alcanzó 5.01GB/s de lectura y 3.75GB/s de escritura en nuestra revisión.
Prueba de velocidad de disco de Blackmagic
Por último, probamos el rendimiento dentro de un entorno Windows 11 utilizando la popular herramienta Blackmagic.Esto representa una mejora sólida con respecto a la versión no más, que solo logró leer 4,26 GB/s y escribir 3,44 GB/s, marcando un aumento del 28% en la velocidad de lectura y un aumento del 42% en el rendimiento de escritura.
Si bien estas ganancias son impresionantes, no alcanzan las afirmaciones de Samsung.Velocidades de lectura de 250MB/s para los modelos de 2TB y 4TB, una mejora del 45% con respecto a los 990 EVO de 5GB/sDel mismo modo, la versión Plus promete velocidades de escritura de hasta 6.300MB/s, un aumento del 50% sobre los 4.200MB/s del 990 EVO.la actualización todavía ofrece tiempos de carga más rápidos y manejo más suave de archivos grandes.
Conclusión
Sandy Yang, directora de estrategia global
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Enfoque en el negocio:
Distribución de productos TIC/Integración de sistemas y servicios/Soluciones de infraestructura
Con más de 20 años de experiencia en distribución de TI, nos asociamos con las principales marcas globales para ofrecer productos confiables y servicios profesionales.
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