Spanish
La dificultad para lograr mayores densidades en el factor de forma E3.S se reduce a algunos desafíos clave:
- Limitaciones del espacio físico: El factor de forma E3.S está optimizado para un mejor flujo de aire y gestión térmica en comparación con las unidades tradicionales de 2,5 pulgadas.Esto hace que el montaje de más paquetes de flash NAND y los circuitos de control necesarios desafiantes sin sacrificar la gestión de calor o el rendimiento.
- Gestión térmica: Los SSD de alta densidad generan más calor, lo que dificulta la disipación en un factor de forma compacto.Así que equilibrar la densidad con soluciones térmicas es un desafío significativo.
- Consumo de energíaA medida que aumenta la capacidad, los requisitos de energía también pueden aumentar.La unidad S que puede soportar una alta capacidad mientras se mantiene dentro de los límites de potencia y enfriamiento aceptables para los racks de centros de datos puede ser complicada.
Mientras que la unidad E3.S se destaca por su capacidad y cuerpo delgado, Micron ofrece una unidad E1.L y U.2.Servicio de servidores empresariales más tradicionales con U.2 bahías e hiperescaladores con E1.L. Todas las unidades cuentan con un diseño integrado verticalmente, con Micron DRAM, NAND, controlador y pila de firmware interna.
Las especificaciones de las unidades SSD Micron 6550 ION
| Características | Detalles |
| Tecnología | Micron G8 TLC NAND. PCIe Gen5 1×4 NVMe (v2.0b) |
| Factores de forma | Las medidas de seguridad se aplican a los vehículos de las categorías A y B. |
| Capacidad | 30.72TB 61.44TB (igual especificación de rendimiento para todos los SKUs) |
| 128K Lecturas de secuencia, QD128 | 12,000 MB/s |
| 128K Seq escribe, QD128 | 5,000 MB/s |
| Lecturas aleatorias 4K, QD512 | 1,600, 000 IOPS |
| 4K Random escribe, QD128 | 70, 000 IOPS |
| Durabilidad (para 5 años de garantía) |
|
| El poder |
|
| Confiabilidad
(UBER = tasa de error de bits no corregible) |
|
| Características |
|
| Garantización | 5 años |
Validación del rendimiento sintético ION de micrón 6550
Con el Micron 6550 ION en el Laboratorio de StorageReview, pusimos la versión U.2 de la unidad a prueba dentro de una plataforma de prueba Dell PowerEdge R760.,que pudimos validar en nuestras pruebas, junto con el SSD Solidigm P5336 61.44TB basado en QLC, el único SSD disponible en este punto de capacidad.
Junto con la validación de rendimiento que realizamos en el Micron 6550 ION, probamos los estados de potencia para restringir la energía consumida por el Micron 6550 ION.Mientras que todos los dispositivos NVMe se pueden operar sin restricciones (consumen hasta 25W de energía), los SSD NVMe admiten reducir el consumo máximo para ahorrar en consumo de energía. La reducción de energía puede afectar significativamente el rendimiento de algunas unidades, pero el Micron 6550 ION está optimizado para un menor consumo de energía,ofreciendo rendimiento de centro de datos dentro de una envolvente de energía más pequeña.
Antes de comenzar nuestras pruebas de rendimiento, pusimos el Micron 6550 ION en modo PS1 y dejamos el Solidigm P5335 en modo PS0 o sin restricciones.que van desde 25W máximo hasta sólo 10W en el extremo inferior. PS1 establece el consumo máximo de energía en este SSD a 20W. En comparación, el Solidigm P5336 admite tres estados de potencia (PS0 a PS2), que van desde 25W hasta 10W en incrementos de 5-10W.
Cada SSD fue sometido a una carga de trabajo de precondicionamiento secuencial de 128K para esta comparación de rendimiento, donde las unidades se llenaron dos veces.Las unidades fueron probadas para el rendimiento de lectura y escritura secuencial de 128K mientras estaban en estado precondicionadoLa carga de trabajo se cambió a una condición previa aleatoria de 16K para dos llenos de disco, y se completaron las pruebas de lectura y escritura restantes de 16K.
| Tamaño del bloque | Operación | Aprovechamiento de potencia promedio de micrones en el estado de potencia PS1 | FIO Línea de carga de trabajo/cuadra | Rendimiento ION de 6550 micrones esperado | El rendimiento del ION de micrón 6550 medido | P5336 Rendimiento del solidigma medido |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 16KB | Leído al azar | 17.9 W | 8T/256Q | > 700k PIO > 11,2 GB/s |
11.6 GB/s 707k PIO |
7.4 GB/s 454k PIO |
| 16KB | Escribe al azar | 17.5 W | 2T/1Q | > 70k PIO > 1,1 GB/s |
1.4 GB/s 85.4k PIO |
850 MB/s 51.9k IOPs |
| 128KB | Lectura secuencial | 17.5 W | 1T/64Q | > 12 GB/s | 12.7GB/s | 7.5 GB/s |
| 128KB | Escribir en secuencia | 17.5 W | 1T/16Q | > 5 GB/s | 8.2 GB/s | 3.2 GB/s |
El ION de Micron 6550 en nuestro laboratorio mantuvo la alineación con el rendimiento de ION de Micron 6550 citado y, en algunos casos, excedió la hoja de especificaciones de Micron.
En nuestra carga de trabajo de lectura aleatoria de 16K, el Micron 6550 ION mantuvo 11.6GB/s, en comparación con 7.4GB/s del Solidigm P5536.El Micron 6550 ION podría ofrecer 1.4GB/s, más de 850MB/s desde el P5336. Avanzando a la carga de trabajo de lectura secuencial de 128K, el Micron 6550 ION midió 12.7GB/s, en comparación con 7.5GB/s del Solidigm P5336.Cambiar a escritura secuencial de 128K, el Micron 6550 ION midió 8.2GB/s frente a los 3.2GB/s del Solidigm P5336.
Comparándolo con el Solidigm P5336, notamos muchas áreas donde la nueva interfaz Gen5 en el Micron 6550 ION sobresalió sobre la interfaz Gen4 en el P5336, lo que se espera.La diferencia entre Gen4 vs.Las unidades Gen5 se relacionan con la cantidad de ancho de banda que cada unidad puede empujar a través del cable.mientras que la nueva interfaz PCI Gen5 duplica eso con 14GB/sEl uso de Micron de TLC NAND le da otra ventaja de diseño sobre los competidores basados en QLC.
Performance de la carga de trabajo de Micron 6550 ION AI
Las cargas de trabajo de IA han puesto presión sobre los administradores al exigir servidores de alto rendimiento y una eficiencia energética superior.Micron posicionó el 6550 ION contra el Solidigm P5336 para mostrar sus capacidades utilizando cuatro cargas de trabajo distintas: NVIDIA(R) Magnum IO(TM), entrenamiento y captura Unet3D, y control de modelos de IA.Las pruebas de GPUDirect Storage (GDS) permiten la transferencia directa de datos entre el almacenamiento y las GPU al evitar la memoria de la CPU y reducir la sobrecarga y la latencia del movimiento de datos.
Conclusión
Sandy Yang, directora de estrategia global
WhatsApp / WeChat: +86 13426366826 El número de teléfono es:
Correo electrónico: yangyd@qianxingdata.com
El sitio web: www.qianxingdata.com/www.storagesserver.com
Enfoque en el negocio:
Distribución de productos TIC/Integración de sistemas y servicios/Soluciones de infraestructura
Con más de 20 años de experiencia en distribución de TI, nos asociamos con las principales marcas globales para ofrecer productos confiables y servicios profesionales.
Usar la tecnología para construir un mundo inteligente¡Su proveedor de servicios de productos TIC de confianza!