Spanish
El nuevo SSD de consumo PCIe 4.0 de Samsung, el plain 990, prioriza la eficiencia energética y el costo sobre el rendimiento máximo,El 990 PRO tiene una eficiencia energética de hasta un 38% superior que el 990 PRO.Las especificaciones se mantienen a 7,150MB/s de lectura secuencial / 6,450MB/s de escritura para la variante de 1TB y 7,250MB/s de lectura / 6,450MB/s de escritura para el modelo de 2TB; el rendimiento aleatorio alcanza 700K/1.1M IOPS (1TB) y 850K/1.2M IOPS (2TB)Se lanza en 1TB ($ 269.99) y 2TB ($ 529.99) SKUs.
Ubicado dentro de la familia 990 existente de Samsung junto con los modelos PRO, EVO y EVO Plus, esta unidad de nivel de entrada utiliza un controlador interno emparejado con V-NAND no especificado y una arquitectura HMB sin DRAM..Lleva una garantía de tres años con 400TBW (1TB) / 800TBW (2TB), en comparación con la cobertura de cinco años y los límites de resistencia más altos del 990 PRO.Su lectura secuencial coincide con el 990 EVO Plus pero no alcanza el PROLos puntos de venta clave incluyen escrituras secuenciales más del 50% más rápidas que el 990 EVO y 1,686MB/s de eficiencia de lectura por vatio en la versión de 2TB.Samsung reserva su línea Gen5 9100 PRO para compradores que buscan velocidades de primer nivel, por lo que el 990 tiene como objetivo un segmento de valor separado.
Las primeras SSD 980 sin DRAM de la marca de 2021 ofrecieron un rendimiento mediocre, pero las cadenas de suministro NAND y DRAM ajustadas han cambiado la demanda del mercado hacia un almacenamiento PCIe 4.0 eficiente en energía y asequible.Samsung se niega a revelar las especificaciones detalladas de NANDLa compatibilidad de la resistencia de escritura anual con el 990 PRO indica fuertemente un flash TLC optimizado en lugar de QLC,Aunque la ambigüedad intencional en torno a las especificaciones de hardware básicas es inusualLas pruebas utilizaron una muestra de preproducción de 2TB MZ-V9V2T0 con firmware 0B2QLXL7 a través de fios, carga LLM y puntos de referencia de almacenamiento directo de GPU.
Especificaciones básicas
El factor de forma es el estándar M.2 2280 de un solo lado sin disipador de calor incluido, ideal para portátiles delgados y PC compactos que dependen de la refrigeración de la placa base.El PCB alberga el controlador cerca del conector y todos los chips NAND en un ladoSamsung Magician 9.0 maneja actualizaciones de firmware, seguimiento de estado, diagnóstico y cifrado AES de 256 bits; la operación de HMB requiere cero configuración manual.La potencia de lectura activa alcanza 4.0W (1TB) / 4.3W (2TB), potencia de escritura activa 3.7W / 3.8W, mientras que el consumo en reposo cae a 55mW o 3mW en estados de baja potencia.
Resultados de referencia
Rendimiento FIO sintético
El 2TB 990 alcanzó 7.177MB/s de lectura secuencial, 6.070MB/s de escritura secuencial, 872K de IOPS de lectura aleatoria y 1.08M de IOPS de escritura aleatoria, ubicándose cerca de la parte inferior de todas las unidades PCIe 4/5 probadas.Pierde el 4% de la lectura secuencial, 15,7% de escritura secuencial, 37,7% de lectura aleatoria y 23% de rendimiento de escritura aleatoria para el 990 PRO, mientras se queda muy por detrás de las alternativas de la generación 5 como SanDisk SN8100 en casi la mitad en la mayoría de las métricas.
Prueba de carga LLM
La carga del modelo de IA es la carga de trabajo más débil de la unidad. registró 5.06 segundos para DeepSeek R1 7B, 7.61 segundos para Llama 3.2 11B Vision y 7.86 segundos para DeepSeek R1 32B.El 990 PRO hace casi lo mismo aquí.La actualización a PRO produce ganancias mínimas de velocidad de carga LLM, sólo pequeñas mejoras en IO aleatoria y escrituras sostenidas.
Almacenamiento directo de GPU (GDS)
Leer escalas de rendimiento con el número de hilos: el tamaño de bloque de 1M alcanza los picos de 2,89 GiB / s en 64 hilos, mientras que los límites de I / O de bloque pequeño de 16K son de solo 0.82 GiB/s de un solo hilo antes de colapsar bajo concurrencia debido a gastos generalesLa latencia aumenta drásticamente con más hilos, hasta 44.7ms para bloques de 1M en 128 hilos.Considerando que el rendimiento de escritura de 128K y 16K se mantiene estable independientemente de la concurrencia;La latencia de escritura aumenta más bruscamente que la latencia de lectura en todos los tamaños de bloques.
Conclusión
El Samsung 990 no está construido para un rendimiento de referencia líder, constantemente detrás del 990 PRO a través de pruebas sintéticas y aterriza junto a él en la parte inferior de las clasificaciones de carga LLM.Cualquiera que requiera un rendimiento máximo para cargas de trabajo pesadas debe optar por Samsung ¢ s Gen5 9100 PRO en su lugar.
Aun así, la unidad llena un nicho viable centrado en la eficiencia energética y el valor.Ofrece más del 50% de escrituras secuenciales más rápidas que el 990 EVO más antiguo y coincide con las velocidades de lectura del EVO Plus con una eficiencia energética drásticamente mejoradaLas cifras de resistencia apuntan a un flash TLC confiable, a pesar de las vagas revelaciones de NAND de Samsung.
Se adapta a usuarios que no necesitan velocidades Gen5 o el alto IO aleatorio de PRO, que buscan almacenamiento PCIe 4.0 estable y de baja potencia como una actualización de los modelos EVO más antiguos.Dado que el PRO no ofrece beneficios significativos de carga de inferencia de IAEn el caso de los sistemas de memoria, los compradores solo necesitan elegir entre los dos basándose en demandas de escritura aleatorias y sostenidas.Así que su propuesta de valor global dependerá de los futuros precios de venta al por menor en la calleAunque no es adecuado para las construcciones de rendimiento primero, el 990 cumple con competencia su papel principal centrado en la eficiencia.
China, China, China, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón, Japón.
Sandy Yang, directora de estrategia global
WhatsApp / WeChat: +86 13426366826 El número de teléfono es:
Correo electrónico: yangyd@qianxingdata.com
El sitio web: www.qianxingdata.com/www.storagesserver.com
Enfoque en el negocio:
Distribución de productos TIC/Integración de sistemas y servicios/Soluciones de infraestructura
Con más de 20 años de experiencia en distribución de TI, nos asociamos con las principales marcas globales para ofrecer productos confiables y servicios profesionales.
Usar la tecnología para construir un mundo inteligente¡Su proveedor de servicios de productos TIC de confianza!
Sandy Yang, directora de estrategia global
WhatsApp / WeChat: +86 13426366826 El número de teléfono es:
Correo electrónico: yangyd@qianxingdata.com
El sitio web: www.qianxingdata.com/www.storagesserver.com
Enfoque en el negocio:
Distribución de productos TIC/Integración de sistemas y servicios/Soluciones de infraestructura
Con más de 20 años de experiencia en distribución de TI, nos asociamos con las principales marcas globales para ofrecer productos confiables y servicios profesionales.
Usar la tecnología para construir un mundo inteligente¡Su proveedor de servicios de productos TIC de confianza!