Especificaciones de la SSD Samsung 990 EVO
Especificación |
Detalle |
| Modelo | Samsung 990 EVO |
| Capacidades | 1 TB, 2 TB |
| Interfaz | PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 |
| Factor de forma | M.2 (2280) |
| Tipo de NAND | Samsung V-NAND TLC |
| Controlador | Controlador interno de Samsung |
| Caché | HMB (Host Memory Buffer) |
| Rendimiento |
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| Consumo de energía promedio (nivel del sistema) |
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| Consumo de energía (inactivo) | 1 TB y 2 TB: Típico 60 mW |
| Consumo de energía (suspensión del dispositivo) | 1 TB y 2 TB: Típico 5 mW |
| Voltaje admisible | 3,3 V ± 5 % de voltaje admisible |
| Fiabilidad (MTBF) | 1,5 millones de horas de fiabilidad (MTBF) |
| Temperatura de funcionamiento | 0 – 70 °C Temperatura de funcionamiento |
| Choque | 1.500 G y 0,5 ms (semisinusoidal) |
| Características |
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| Eficiencia energética | Hasta un 70 por ciento mejor que la 970 EVO Plus |
| Garantía | Garantía limitada de 5 años |
| Características adicionales | Etiqueta de disipador de calor, Software Samsung Magician |
Prueba de rendimiento de la SSD Samsung 990 EVO
Para esta revisión, analizaremos el modelo de 2 TB mientras lo comparamos con las siguientes SSD:
- Samsung 990 PRO
- Crucial T500
- WD Blue SN580
Para las pruebas, utilizamos dos plataformas. La plataforma de pruebas de consumo admite SSD PCIe Gen4/Gen5. A veces se utiliza para pruebas de consumo más ligeras, como BlackMagic DiskSpeed Test, CrystalDiskMark, y nuestra plataforma principal, una Dell PowerEdge R760, que se superpone a nuestras pruebas empresariales. Serial Cables suministró una JBOF PCIe Gen5 de 8 bahías para pruebas de unidades U.2/U.3, M.2 y E1.S/E3.S. Esto nos permite probar todos los tipos de unidades actuales y emergentes en el mismo hardware de prueba.
Configuración de Dell PowerEdge R760
- Doble Intel Xeon Gold 6430 (32 núcleos/64 hilos, 1,9 GHz base)
- 1 TB de RAM DDR5
- Ubuntu 22.04
Análisis de carga de trabajo de VDBench
Al evaluar dispositivos de almacenamiento, las pruebas de aplicaciones son las mejores, y las pruebas sintéticas son las segundas. Aunque no son una representación perfecta de las cargas de trabajo reales, las pruebas sintéticas ayudan a establecer una base para los dispositivos de almacenamiento con un factor de repetibilidad que facilita la comparación de soluciones competidoras. Estas cargas de trabajo ofrecen una gama de perfiles de prueba que van desde pruebas de "cuatro esquinas" y pruebas comunes de tamaño de transferencia de bases de datos hasta capturas de trazas de diferentes entornos VDI.
Estas pruebas aprovechan el generador de cargas de trabajo común vdBench, con un motor de scripting para automatizar y capturar resultados en un gran clúster de pruebas de cómputo. Esto nos permite repetir las mismas cargas de trabajo en varios dispositivos de almacenamiento, incluidas matrices flash y dispositivos de almacenamiento individuales. Nuestro proceso de prueba para estos puntos de referencia llena toda la superficie de la unidad con datos, luego particiona una sección de la unidad igual al uno por ciento de la capacidad de la unidad para simular cómo la unidad podría responder a las cargas de trabajo de las aplicaciones. Esto difiere de las pruebas de entropía completa, que utilizan el 100 por ciento de la unidad y las llevan a un estado estable. Como resultado, estas cifras reflejarán velocidades de escritura sostenidas más altas.
Perfiles:
- Lectura aleatoria 4K: 100 % lectura, 128 hilos, 0-120 % iorate
- Escritura aleatoria 4K: 100 % escritura, 64 hilos, 0-120 % iorate
- Lectura secuencial 64K: 100 % lectura, 16 hilos, 0-120 % iorate
- Escritura secuencial 64K: 100 % escritura, 8 hilos, 0-120 % iorate
- Perfiles VDI
Comenzando con la lectura aleatoria 4K, la unidad SSD Samsung 990 EVO tuvo un rendimiento deficiente, alcanzando poco más de 130 mil IOPS a 980,1 ms. La 990 Pro y la T500 fueron unidades muy superiores aquí, con la primera alcanzando casi un millón de IOPS.
Las escrituras aleatorias 4K contaron una historia similar, con la nueva 990 EVO alcanzando un pico de 34K IOPS a 3.783 ms de latencia. Nuevamente, la unidad con mejor rendimiento aquí fue la Samsung 990 Pro, menos costosa.
Al cambiar a la carga de trabajo secuencial de lectura 64K, la 990 EVO sufrió un grave golpe en la latencia, comenzando en la marca de 25K IOPS y finalmente alcanzando 1.131 ms a 30K IOPS. La prueba terminó con solo 3,22 GB/s de lectura a una latencia de 548,4 ms, quedando en último lugar. Nuevamente, la 990 Pro, más antigua y menos costosa, fue, con mucho, la mejor unidad aquí.
La 990 EVO nuevamente mostró una latencia muy pobre desde el principio, alcanzando un máximo de 4.754 ms. Alcanzó un pico de 2671 ms a 373 MB/s de escritura (o 5.874 IOPS) quedando en último lugar entre las SSD de prueba. Nuevamente, nada pudo acercarse a la Samsung 990 PRO.
A continuación, analizamos nuestros puntos de referencia VDI, diseñados para exigir más a las unidades. Estas pruebas incluyen Arranque, Inicio de sesión inicial e Inicio de sesión del lunes. Comenzando con el arranque, la latencia de la Samsung 990 EVO aumentó rápidamente, terminando la prueba alrededor de la marca de 33K IOPS a 1.050 ms.
A continuación, se presenta el Inicio de sesión inicial de VDI. Aquí, la Samsung 990 EVO demostró nuevamente altos números de latencia y, al final de la prueba, alcanzó 2.855,1 ms y solo 10K IOPS.
Finalmente, tenemos el punto de referencia de Inicio de sesión del lunes de VDI, que concluye la prueba con solo 11K IOPS con una latencia de 1.450 ms.
BootBench
BOOT-BENCH-1 es un perfil de carga de trabajo adoptado por OCP para perfilar SSD diseñadas para arrancar servidores. Si bien este es intuitivamente un trabajo para SSD empresariales, las SSD para clientes a menudo se seleccionan por su combinación de rendimiento, capacidad y costo. El problema de la unidad de arranque es relevante para los hiperscaladores y los proveedores de sistemas de servidores y almacenamiento, ya que enfrentan desafíos similares.
Esta carga de trabajo de arranque ejecuta un plan de prueba intenso que llena toda la unidad con escrituras antes de probar una secuencia de carga de trabajo con muchas lecturas. Para cada prueba, realiza una operación aleatoria de lectura asíncrona de 32K junto con una escritura aleatoria de 128k síncrona de 15 MiB/s y una carga de trabajo de fondo de escritura/recorte aleatoria de 128k síncrona de 5 MiB/s. El script comienza con la actividad de lectura aleatoria a un nivel de 4 trabajos y escala hasta 256 trabajos en su punto máximo. El resultado final son las operaciones de lectura realizadas durante su ejecución máxima.
El objetivo de OCP para este punto de referencia es un aprobado/fallo a 60K IOPS de lectura. La mayoría de las unidades que probamos superarán con creces el mínimo, pero los resultados son instructivos independientemente.
La Samsung 990 EVO, como era de esperar, no pudo completar la prueba y, por lo tanto, recibió un "DNF" en la tabla de clasificación de arranque actual:
| SSD | IOPS de lectura |
| Sk hynix Platinum P41 | 220.884 IOPS |
| WD SN850X | 219.883 IOPS |
| Solidigm P44 Pro | 211.999 IOPS |
| Fantom VENOM8 | 190.573 IOPS |
| Samsung 990 Pro | 176.677 IOPS |
| Sabrent Rocket 4 Plus | 162.230 IOPS |
| ADATA Legend 970 (Gen5) | 65.632 IOPS |
| Corsair MP700 Pro (Gen5) | 51.521 IOPS |
| Predator Storage GM7 | 35.302 IOPS |
| Samsung 990 EVO | DNF |
Prueba de velocidad Samsung 990 EVO CrystalDiskMark
Realizamos una prueba más ligera en la Samsung 990 EVO para demostrar otra métrica de sus velocidades. La mayor profundidad de cola de CrystalDiskMark (en comparación con BlackMagic) nos permite mostrar el mejor escenario posible para la unidad. Las diferencias de rendimiento en el mundo real probablemente serían insignificantes.
Aquí, la unidad registró velocidades de transferencia secuencial que superaron los 5,09 GB/s de lectura y 3,75 GB/s de escritura, ubicándose en el extremo inferior del espectro de SSD de nivel de consumo.
Prueba de velocidad Blackmagic de la SSD Samsung 990 EVO
Por último, medimos el rendimiento dentro de un entorno Windows 11 en nuestra plataforma de pruebas de consumo a través de la popular prueba Blackmagic. La nueva Samsung 990 EVO alcanzó solo 4,26 GB/s de lectura y 3,44 GB/s de escritura.
Conclusión
La 990 EVO de Samsung emerge como la última oferta de SSD de gama media de Samsung, posicionada como una mejora de la 970 EVO Plus. Esta unidad está diseñada para equilibrar el rendimiento con la eficiencia energética y la compatibilidad de interfaz. Con las características habituales como soporte TRIM y SMART, tiene como objetivo ofrecer a los consumidores una experiencia SSD viable (aunque básica). Sin embargo, está muy lejos de superar las capacidades de su predecesora. Además, la clasificación Gen5 de la SSD también es algo ambigua, ya que opera en 2 carriles Gen5 y 4 carriles Gen4 limitados, sin utilizar completamente la velocidad esperada de la tecnología Gen5.
Sandy Yang/Director de Estrategia Global
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